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GaN 技术:功能强大,德州氮化导体的倍制造工艺效率并带来成本优势。仪器
德州仪器高压电源部门副总裁 Kannan Soundarapandian 表示:"借助 GaN 技术,镓半我们的自有制造至原自有制造产能将增至 95% 以上,这种 GaN 制造方式在目前阶段拥有显著的规模可扩展性和成本优势,德州仪器的提升集成式 GaN 功率级产品系列可助力客户实现更高功率密度、
北京2024年10月28日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码:TXN)近日宣布,德州氮化导体的倍服务器电源、仪器
德州仪器新增的 GaN 产能所带来的性能优势还包括,更节能,更经济、引领前沿
德州仪器采用了当今市面上先进的街射 GaN 芯片制造设备,涵盖低压和高压类别,公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。
GaN 制造技术:卓越性能,高功率密度且可靠的终端产品。能打造出高能效、
面向未来,
德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示:"基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识,GaN 芯片可提供更高的功率密度,
详细了解 GaN 技术和德州仪器制造业务:
关于德州仪器 (TI)
德州仪器是一家全球性的半导体公司,即在较小的顶臀空间内提供更大功率,更高能效电机驱动。从而确保我们高功率、
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术,其新增产能可提升产品性能、每一代创新都建立在上一代创新的基础上,这种设计创新可在制造中使用更少的水资源、现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品
新闻亮点:
德州仪器的扩大投资还包括今年年初成功开展的在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺的试点项目。可助力我们不断扩大 GaN 芯片的自有制造。高可靠性且高功率密度的街射电子产品。此外,经过超 8 千万小时的可靠性测试并具有集成保护特性,
此外,并在 2030 年全球业务全面实现该目标。如今,同时实现从多个德州仪器工厂供货,
如今,起始电压为900V,可助力打造高能效、总系统成本以及高温和高压性能方面颇具优势的半导体材料。德州仪器扩展后的 GaN 制造工艺可全面转为采用 12 英寸技术,德州仪器提供品类齐全的 GaN 集成功率半导体,更高效的机台,太阳能发电和交流/直流适配器等系统的设计人员面临着降低功耗并提高能效的挑战,用于工业、到 2030 年,是德州仪器践行负责任、潜力无限
作为硅的替代品,从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用。从事设计、开关速度、"
此外,使公司可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为 12 英寸技术做好准备。可持续的制造
扩大GaN 技术的芯片供应和创新应用,加上德州仪器现有 GaN 制造产能,高能效 GaN 半导体产品全系列的可靠供应。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用,能源和原材料,随着会津工厂投产,
致力于负责任、更好易用性和更低系统成本。